河北同光半导体获得超高真空碳化硅质料组成炉体系专利由其制备的高纯碳化硅粉体质料可以大范围的使用在半导体单晶体的成长及高纯陶瓷样品的制备

发布时间: 2024-10-26 16:51:14 作者：产品中心

　　金融界2024年8月20日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，河北同光半导体股份有限公司获得一项名为“超高真空碳化硅质料组成炉体系“，授权公告号CN112516916B，请求日期为2020年12月。

　　专利摘要显现，本发明揭露一种超高真空碳化硅质料组成炉体系，触及碳化硅组成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体质料可以大范围的使用在半导体碳化硅单晶体的成长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅质料组成炉体系中，炉室为圆筒形立式双层水冷结构，炉室上装置炉盖，炉盖为双层水冷结构，红外测温组件坐落炉盖顶端，炉盖可由电动升降机完成升降并旋开；炉室经过闸板阀、泵抽弯管与分子泵衔接，组成体系主抽管路，炉室经过角阀、波纹管与机械泵相连，组成体系旁抽管路；样品支撑组织与炉室底盘固定，感应加热组件、丈量组件别离与炉室旁边面法兰固定。

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